HAMAMATSU 滨松 S12859-324 硅光电二极管阵列
适用于 X 射线非破坏性检测的背照式光电二极管阵列（像元间距：1.17 mm）
S12859-324 是一款背照式 16 像元光电二极管阵列，专为无损 X 射线检查而设计。它是我们前代产品（S11212 系列：1.575 mm 间距）的改版。间距已更改为 1.17 mm。背照式光电二极管阵列也易于处理，并且易于连接到闪烁体，而不必担心导线损坏，因为背面没有焊线和受光面。
特点
-像元尺寸：0.77 (W) × 2.5 (H) mm/单像元
-像元间距：1.17 mm（× 16 像素）
-安装基板尺寸：19.0 (W) × 18.0 (H) mm
-通过多个阵列实现狭长形状
-支持双能量成像（用于上下两层组合时。）
| 像元尺寸（每个像元） | 0.77 × 2.5 mm |
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| 像元数 | 16 |
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| 封装 | 玻璃环氧树脂 |
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| 封装类别 | 带闪烁体 |
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| 闪烁体类型 | GOS 陶瓷 |
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| 制冷 | 非冷却型 |
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| 暗电流（最大值） | 30 pA |
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| 上升时间（典型值） | 6.5 μs |
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| 结电容（典型值） | 30 pF |
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| 测量条件 | Ta = 25°C，每个像元 |
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外形尺寸图（单位：mm）
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