HAMAMATSU 滨松 S8664-1010 硅 APD
短波长类型 APD
特点
-在可见光波段具有高灵敏度
-低噪声
-高增益
-低电容
| 类型 | 短波长类型
（低结电容） |
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| 受光面 | 10 × 10 mm |
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| 封装 | 陶瓷 |
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| 最大灵敏度波长（典型值） | 600 nm |
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| 灵敏度波长范围 | 320 至 1000 nm |
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| 感光灵敏度（典型值） | 0.24 A/W |
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| 暗电流（最大值） | 100 nA |
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| 截止频率（典型值） | 11 MHz |
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| 结电容（典型值） | 270 pF |
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| 击穿电压（典型值） | 400 V |
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| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.78 V/°C |
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| 增益率（典型值） | 50 |
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| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有说明，
感光灵敏度：λ = 420 nm，M = 1 |
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光谱灵敏度特性
外形尺寸图（单位：mm）
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