HAMAMATSU 滨松 S8550-02 硅 APD 阵列
4 × 8 像元 APD 阵列，具有低噪声和增强的短波长灵敏度
S8550-02 是一款 APD（雪崩光电二极管）阵列，设计用于短波长检测，具有低噪声和低结电容的特点。S8550-02 还可在每个像元之间提供均匀的增益和较小的串扰。
特点
-在短波区域具有高灵敏度和低噪声
-低结电容
-针对蓝光探测进行了优化
-各像元之间呈现均匀增益和低串扰变化
-无磁
| 类型 | 4×8 像元阵列 |
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| 受光面 | 1.6 × 1.6 mm |
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| 封装 | 陶瓷 |
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| 最大灵敏度波长（典型值） | 600 nm |
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| 灵敏度波长范围 | 320 至 1000 nm |
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| 暗电流（最大值） | 10 nA |
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| 截止频率（典型值） | 250 MHz |
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| 结电容（典型值） | 9 pF |
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| 击穿电压（典型值） | 400 V |
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| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.78 V/°C |
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| 增益率（典型值） | 50 |
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| 测量条件 | Ta = 25°C，最大灵敏度波长：M = 50，暗电流：每 1 个像元，M = 50，结电容：每 1 个像元，M = 50，f = 10 kHz，除非另有说明 |
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外形尺寸图（单位：mm）
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